SiC silīcija karbīds ir salikts pusvadītāju materiāls, kas sastāv no oglekļa un silīcija elementiem. Tas ir viens no ideāliem materiāliem augstas temperatūras, augstfrekvences, lieljaudas un augstsprieguma ierīču izgatavošanai.
Silīcija karbīda izejvielu galvenās priekšrocības atspoguļojas:
(1) Augsta sprieguma pretestība: zemāka pretestība, plašāka joslas sprauga, var izturēt lielāku strāvu un spriegumu, kas noved pie mazāka izmēra izstrādājuma dizaina un augstākas efektivitātes;
(2) Augstas frekvences pretestība: SiC ierīcēs izslēgšanas procesa laikā nenotiek strāvas novirzīšanās parādība, kas var efektīvi palielināt komponenta pārslēgšanas ātrumu (apmēram 3-10 reizes salīdzinājumā ar Si), un ir piemērota augstākas frekvences un ātrāks pārslēgšanās ātrums. ;
(3) Augstas temperatūras izturība: SiC ir augstāka siltumvadītspēja nekā silīcijam, un tas var darboties augstākā temperatūrā.
Salīdzinot ar tradicionālo silīcija materiālu (Si), silīcija karbīda (SiC) joslas sprauga ir 3 reizes lielāka nekā silīcija; siltumvadītspēja ir 4-5 reizes lielāka nekā silīcija; pārrāvuma spriegums ir 8-10 reizes lielāks nekā silīcija; un elektronu piesātinājuma novirzes ātrums 2-3 reizes lielāks nekā silīcija.
